索尼Xperia 1 V將于5月11日發(fā)布，根據(jù)香港的廣告，它將配備一種全新的圖像傳感器。令人耳目一新的是，我們不僅僅是在談?wù)摳�高的百萬像素計數(shù)，或者稍微大一點(diǎn)的傳感器尺寸，而是一個全新的CMOS傳感器架構(gòu)。

由索尼開發(fā)的新型“雙層”傳感器技術(shù)最初于2021年底推出，但Xperia 1 V看起來將是這種類型傳感器的第一個商業(yè)實現(xiàn)。

這種新型傳感器設(shè)計的關(guān)鍵區(qū)別在于，據(jù)說它將每個感光點(diǎn)(“像素”)的晶體管元件與光敏光電二極管元件分開，將這兩個元件放置在單獨(dú)的堆疊層上——晶體管在光電二極管下方移動。與傳統(tǒng)的CMOS傳感器相比，這兩個元件在同一層上彼此相鄰，晶體管消耗大約一半的表面積。

因此，理論表明，能夠利用整個傳感器區(qū)域的聚光光電二極管可以加倍傳感器的光靈敏度，從而增加動態(tài)范圍和減少圖像噪聲在高靈敏度。索尼自己表示，2層CMOS結(jié)構(gòu)大約“將飽和信號水平提高了一倍”。

這種雙層設(shè)計雖然在命名上與現(xiàn)有的堆疊CMOS傳感器技術(shù)相似，但卻非常不同。堆疊式CMOS傳感器使用與傳統(tǒng)CMOS傳感器相同的光電二極管層，但在傳感器結(jié)構(gòu)中添加了一層DRAM以加快圖像讀取速度。一個主要的好處是更快的圖像處理和連拍幀速率。

雖然這似乎是提高傳感器性能的一個顯而易見的解決方案，但大規(guī)模生產(chǎn)雙層傳感器顯然非常困難，因此為什么我們只是看到這項技術(shù)進(jìn)入消費(fèi)市場。據(jù)說，將光電二極管堆疊在晶體管上需要極高的對準(zhǔn)精度，而且鍵合溫度遠(yuǎn)高于普通CMOS傳感器的結(jié)構(gòu)。

光敏傳感器面積的物理加倍是否會轉(zhuǎn)化為可測量圖像質(zhì)量的2倍增長還有待觀察，如果這是真的，我們最終會得到一個與今天的中畫幅傳感器相匹配的全畫幅傳感器的圖像質(zhì)量。你可能也想知道為什么索尼將這種可能改變游戲規(guī)則的傳感器技術(shù)應(yīng)用于手機(jī)，而不是像a9 III或a1 II這樣的潛在新旗艦相機(jī)。如果我們推測一下，考慮到生產(chǎn)雙層傳感器所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的制造工藝可能只是能夠生產(chǎn)物理上較小的傳感器芯片。將該技術(shù)擴(kuò)展到全畫幅傳感器尺寸可能需要更多的時間。

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