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改進(jìn) MEMS 熱致動(dòng)器和傳感器
來(lái)源:賽斯維傳感器 發(fā)表于 2021/7/2

卡內(nèi)基梅隆大學(xué)的研究人員正在探索一種用于微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 熱致動(dòng)器和傳感器的有效替代材料。圖片來(lái)源:卡內(nèi)基梅隆大學(xué)德波爾實(shí)驗(yàn)室


手機(jī)中的加速度計(jì)、筆記本電腦中的微處理器以及平衡無(wú)人機(jī)的陀螺儀都依賴(lài)于微機(jī)電系統(tǒng),簡(jiǎn)稱(chēng) MEMS。在這些小型系統(tǒng)中還有更小的設(shè)備,稱(chēng)為執(zhí)行器和傳感器,可以執(zhí)行各種物理功能。  


一種是熱致動(dòng)器,它通過(guò)材料因溫度變化而膨脹和收縮將能量轉(zhuǎn)化為運(yùn)動(dòng)。您會(huì)在計(jì)算機(jī)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、掃描探針和微型引擎中找到 MEMS 熱致動(dòng)器。  


目前,這些熱致動(dòng)器依賴(lài)于多晶硅,這種材料在制造過(guò)程中需要高溫并消耗大量功率。在進(jìn)行相關(guān)研究時(shí),卡內(nèi)基梅隆大學(xué)工程學(xué)院的研究人員意識(shí)到他們找到了一種有效的替代品。 


在機(jī)械工程教授 Maarten de Boer 的帶領(lǐng)下,該團(tuán)隊(duì)用鉭代替多晶硅創(chuàng)建了微機(jī)電熱致動(dòng)器。這降低了給定驅(qū)動(dòng)量所需的工作溫度和能耗。結(jié)果發(fā)表在 Nature  Microsystems & Nanoengineering 上。進(jìn)一步的研究導(dǎo)致在《微機(jī)電系統(tǒng)雜志》上發(fā)表了一篇額外的論文 。 


鉭是一種稀有的難熔金屬,常用于合金中以增加強(qiáng)度和耐用性。研究人員推測(cè),鉭熱致動(dòng)器(由于金屬的熱膨脹系數(shù)與制造它的硅基板相比較大)在相同的力和位移下所需的功率輸入少于多晶硅制造的熱致動(dòng)器的一半。 


鉭的工作電壓低于其他熱致動(dòng)器,與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 電路直接兼容。鉭器件也可以在接近室溫下進(jìn)行加工。 


“原則上,這項(xiàng)工作證明了使用鉭不僅可以制造熱致動(dòng)器,而且可以用于制造多種傳感器,以用于廣泛的集成納米電子器件的可行性,”de Boer 說(shuō)。


在微處理器、電話(huà)或其他設(shè)備的制造過(guò)程中,制造商通常將 MEMS 組件放在一個(gè)芯片上,將電子 CMOS 組件放在第二個(gè)芯片上。  


De Boer 的團(tuán)隊(duì)認(rèn)為,鉭作為一種 MEMS 結(jié)構(gòu)材料可以消除對(duì)兩個(gè)獨(dú)立芯片的需求以及在它們之間發(fā)送信號(hào)的額外布線(xiàn)。這將導(dǎo)致用更少的材料制造更高效的設(shè)備,這將降低制造成本并帶來(lái)更高的性能。 


盡管其他研究人員已經(jīng)探索了消除第二個(gè)芯片的方法,但他們發(fā)現(xiàn)制造 MEMS 所需的高溫是一個(gè)障礙。De Boer 的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)解決了這個(gè)問(wèn)題。  


第二篇論文發(fā)表在 《微機(jī)電系統(tǒng)雜志》上,探討了在 MEMS制造過(guò)程中使用氮化鋁來(lái)保持低溫。這可以提高在同一芯片上以“MEMS-last”方法開(kāi)發(fā) MEMS 和 CMOS 的可行性,這可能會(huì)引起代工廠(chǎng)和所謂的無(wú)晶圓 MEMS 公司的興趣。 


“關(guān)于 CMOS 集成,這將是非常令人興奮的,因?yàn)樗兄谠?MEMS 下使用全 CMOS,”電氣和計(jì)算機(jī)工程教授 Gary Fedder 觀察到!般g的密度大約是硅的 7 倍,因此它非常適合作為檢測(cè)質(zhì)量。這很重要,因?yàn)轭?lèi)似的靈敏度傳感器可以小 7 倍!”


結(jié)果可能會(huì)對(duì)需要傳感技術(shù)的一系列行業(yè)產(chǎn)生未來(lái)影響,如航空航天、醫(yī)療保健、光網(wǎng)絡(luò)和機(jī)器人技術(shù)。De Boer 和他的學(xué)生在 MEMS 鉭加工領(lǐng)域申請(qǐng)了三項(xiàng)臨時(shí)專(zhuān)利。  


技術(shù)論文和臨時(shí)專(zhuān)利的其他作者包括 Longchang Ni 和 Ryan Pocratsky,他們都是博士。機(jī)械工程系的學(xué)生。 


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