產(chǎn)品中心 應(yīng)用方案 技術(shù)文摘質(zhì)量保證產(chǎn)品選型 下載中心業(yè)內(nèi)動態(tài) 選型幫助 品牌介紹 產(chǎn)品一覽 聯(lián)系我們
- 韋爾股份獲得發(fā)明專利授權(quán):“一種高轉(zhuǎn)換增益的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)”
- 來源:證券之星 發(fā)表于 2024/7/17
證券之星消息,根據(jù)企查查數(shù)據(jù)顯示韋爾股份(603501)新獲得一項發(fā)明專利授權(quán),專利名為 " 一種高轉(zhuǎn)換增益的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu) ",專利申請?zhí)枮?CN202111579267.7,授權(quán)日為 2024 年 7 月 16 日。
專利摘要:本發(fā)明公開了一種高轉(zhuǎn)換增益的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu),包括置于半導(dǎo)體基體中的光電二極管 101、傳輸晶體管 103、浮動擴(kuò)散節(jié)點(diǎn) 104、復(fù)位晶體管 105、源跟隨器晶體管 107、行選通晶體管 108、電源 106 以及 pixel 輸出 109;通過改變浮動擴(kuò)散節(jié)點(diǎn) 104 與傳輸晶體管 103 和復(fù)位晶體管 105 之間的交疊電容,提高電荷電壓轉(zhuǎn)換因子,從而提高圖像傳感器的靈敏度:在浮動擴(kuò)散節(jié)點(diǎn) 104 與所述傳輸晶體管 103 和復(fù)位晶體管 105 的交疊處分別設(shè)置復(fù)位晶體管淺溝道氧化層 115 和傳輸晶體管淺溝道氧化層 116,并在周圍設(shè)置淺溝槽隔離 117。本發(fā)明通過減少浮動擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)與傳輸晶體管和復(fù)位晶體管之間的交疊電容提高電荷電壓轉(zhuǎn)換因子減小輸入?yún)⒖荚肼,提高信噪比,實現(xiàn)高靈敏度的圖像傳感器。
今年以來韋爾股份新獲得專利授權(quán) 24 個,較去年同期增加了 140%。結(jié)合公司 2023 年年報財務(wù)數(shù)據(jù),2023 年公司在研發(fā)方面投入了 22.34 億元,同比減 10.48%。
數(shù)據(jù)來源:企查查
以上內(nèi)容由證券之星根據(jù)公開信息整理,由算法生成(網(wǎng)信算備 310104345710301240019 號),與本站立場無關(guān),如數(shù)據(jù)存在問題請聯(lián)系我們。本文為數(shù)據(jù)整理,不對您構(gòu)成任何投資建議,投資有風(fēng)險,請謹(jǐn)慎決策。
- 如果本文收錄的圖片文字侵犯了您的權(quán)益,請及時與我們聯(lián)系,我們將在24內(nèi)核實刪除,謝謝!